Atomic-scale analysis of 4H-SiC(0001) surfaces by STM/LEED and XPS

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  • STM/LEED、XPSによる4H-SiC(0001)
  • プロセス表面の原子構造解析

Abstract

ワイドギャップ半導体として注目されているSiCについて、湿式洗浄およびEEM加工を行い、その表面の原子構造を解析した。LEED観察から、SiC表面はウエハ作製時におけるダメージ層を有していたが、SPM+HF洗浄によりその層を除去し、結晶性を有する表面層を露出させることがわかった。また、STM観察により、六角形を形成する原子配列が見られたが、洗浄後と加工後では、原子構造は異なっていることがわかった。

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  • CRID
    1390282680625541760
  • NII Article ID
    130004655662
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2004a.0.385.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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