End Point Detection Technology based on Eddy Current by Skin Effect in Chemical Mechanical Polishing

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  • 表皮効果を利用した渦電流によるCMP終点検出技術
  • スキンエディ法による新しい終点検出の原理と評価

Description

次世代Cu/Low-k膜対応の化学機械研磨において、新しく表皮効果を利用した渦電流方式による終点検出技術を開発した。開発した終点検出技術は、平面インダクタで形成された高周波分散磁場により、Cu膜除去間際に表皮効果に基づく共振周波数の極大点が現れ、それを検出して研磨終点を求める。素子内部への磁場侵入を軽減することで渦電流による内部配線のジュール熱損を軽減し、感度よく終点検出することを述べる。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680628187520
  • NII Article ID
    130004659086
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2009a.0.313.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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