鋳鉄定盤を用いた単結晶SiC基板のラッピング加工に関する研究
書誌事項
- タイトル別名
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- A study on lapping process of the single crystal SiC substrate using a cast iron plate
抄録
シリコンカーバイド(SiC)は,シリコン(Si)と比べ,バンドギャップが約3倍,絶縁破壊電界が約7倍であることなどから,電力利用の効率化を担うパワーデバイス用基板材料として有望視されている.しかし,SiCは,高硬度かつ熱的・化学的に安定なため,加工が非常に難しい.われわれは,鉄などの遷移金属と過酸化水素水の反応により生成されるOHラジカルを利用した加工法を提案し,SiC表面の加工への適用を検討している.本報告では,鋳鉄定盤を用いた単結晶SiC基板のラッピング加工について検討した結果を報告する.
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2009A (0), 165-166, 2009
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680628229888
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- NII論文ID
- 130004659003
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可