鋳鉄定盤を用いた単結晶SiC基板のラッピング加工に関する研究

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タイトル別名
  • A study on lapping process of the single crystal SiC substrate using a cast iron plate

抄録

シリコンカーバイド(SiC)は,シリコン(Si)と比べ,バンドギャップが約3倍,絶縁破壊電界が約7倍であることなどから,電力利用の効率化を担うパワーデバイス用基板材料として有望視されている.しかし,SiCは,高硬度かつ熱的・化学的に安定なため,加工が非常に難しい.われわれは,鉄などの遷移金属と過酸化水素水の反応により生成されるOHラジカルを利用した加工法を提案し,SiC表面の加工への適用を検討している.本報告では,鋳鉄定盤を用いた単結晶SiC基板のラッピング加工について検討した結果を報告する.

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  • CRID
    1390282680628229888
  • NII論文ID
    130004659003
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2009a.0.165.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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