A study on lapping process of the single crystal SiC substrate using a cast iron plate

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  • 鋳鉄定盤を用いた単結晶SiC基板のラッピング加工に関する研究

Abstract

シリコンカーバイド（SiC）は，シリコン（Si）と比べ，バンドギャップが約3倍，絶縁破壊電界が約7倍であることなどから，電力利用の効率化を担うパワーデバイス用基板材料として有望視されている．しかし，SiCは，高硬度かつ熱的・化学的に安定なため，加工が非常に難しい．われわれは，鉄などの遷移金属と過酸化水素水の反応により生成されるOHラジカルを利用した加工法を提案し，SiC表面の加工への適用を検討している．本報告では，鋳鉄定盤を用いた単結晶SiC基板のラッピング加工について検討した結果を報告する．

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  • CRID
    1390282680628229888
  • NII Article ID
    130004659003
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2009a.0.165.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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