CMPにおけるウェハおよびポリシングパッドの温度変化に関する研究 (第1報)
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- 上野 和樹
- 九州工業大学 大学院情報工学部 情報工学研究科
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- 木村 景一
- 九州工業大学 大学院情報工学研究院 機械情報工学系
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- カチョーンルンルアン パナート
- 九州工業大学 先端金型センター
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- 小井 裕斗
- 九州工業大学 情報工学部 機械情報工学科
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- 和田 なぎさ
- 九州工業大学 大学院情報工学部 情報工学研究科
書誌事項
- タイトル別名
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- Study on Temperature rise at Wafer and Polishing pad surface in Chemical Mechanical Polishing (1st report)
- 公開日
- 2008
- DOI
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- 10.11522/pscjspe.2008a.0.839.0
- 公開者
- 公益社団法人 精密工学会
説明
CMPにおける熱的要因がスラリーの化学的効果を助長させ，研磨レートへ大きな影響を与えることが知られている．しかし，ウェハ・ポリシングパッド接触部の観察，温度測定を行うことが困難なことから，その熱の発生メカニズムや要因については未解明の点が多い．そこで，本報告ではCMP時にウェハ・ポリシングパッド接触部での温度上昇を計測することで，それらがどのような温度特性を持っているか評価する．
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2008A (0), 839-840, 2008
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680628479616
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- NII論文ID
- 130004658863
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可