SiCのレーザアブレーション加工

説明

現在,シリコン(Si)に替わる次世代パワー半導体基板として,耐熱性,耐電圧性に優れるシリコンカーバイド(SiC)に期待が寄せられている.しかし,SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度と化学的安定性から難加工性材料として知られている.本研究では材料の硬さに関わらず加工が可能であるレーザに着目し,難加工性材料であるSiCに対して,レーザアブレーションによる高品位高速加工を試みたので報告する.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680631668864
  • NII論文ID
    130004661134
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2013a.0.265.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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