SiCのレーザアブレーション加工

石田 雄一, 残間 薫, 笠井 雄太, 池野 順一, 阿部 耕三

doi:10.11522/pscjspe.2013a.0.265.0

SiCのレーザアブレーション加工

石田雄一

埼玉大　工学部　機械工学科
残間薫

埼玉大　工学部　機械工学科
笠井雄太

埼玉大　工学部　機械工学科
池野順一

埼玉大　工学部　機械工学科
阿部耕三

新日鉄住金マテリアルズ　SiCウェハカンパニー

説明

現在，シリコン（Si）に替わる次世代パワー半導体基板として，耐熱性，耐電圧性に優れるシリコンカーバイド（SiC）に期待が寄せられている．しかし，SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度と化学的安定性から難加工性材料として知られている．本研究では材料の硬さに関わらず加工が可能であるレーザに着目し，難加工性材料であるSiCに対して，レーザアブレーションによる高品位高速加工を試みたので報告する．