触媒基準エッチング法による4H-SiCの平坦化における加工速度の検討

DOI
  • 橘 一真
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 佐野 泰久
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 岡本 武志
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 礒橋 藍
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 有馬 健太
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 稲垣 耕司
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 八木 圭太
    荏原製作所
  • 定國 峻
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 森川 良忠
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 山内 和人
    大阪大 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

抄録

我々は次世代パワーデバイス材料として注目されるSiCの平坦化加工法である触媒基準エッチング法の開発を行っている．本加工法を用いて荷重や定盤の回転速度，溶液の組成を変化させたときの加工速度を調べ，加工特性及び原理の考察を行った．その結果，加工速度と定盤の回転速度，荷重が比例することがわかった．また加工速度はHF濃度とF-濃度の積に比例することがわかった．得られた結果より反応メカニズムについて考察を行った．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680631875968
  • NII論文ID
    130004660244
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2011a.0.457.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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