レベラーの単体添加によるシリコン貫通電極の銅めっきボトムアップ埋込み

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書誌事項

タイトル別名
  • Extreme Bottom-up in Through Silicon Vias by Addition of Only Leveler

説明

集積回路の高性能化に向けて，シリコン貫通電極(TSV)が期待されている．孔への銅埋込みには電解めっきが期待されており，複数の添加剤を同時に用いためっきが検討されている．しかし，埋め込みの支配的メカニズムには不明な点が多い．そこで，レベラーの拡散と早い吸着が埋込みに支配的と仮定し，予備浸漬によるTSV埋込みを実現した．回転電極による分極測定では，レベラー吸着が拡散律速である可能性を示した．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680632467584
  • NII論文ID
    130005263997
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2016s.0_639
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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