Mechanical Property Measurement of 3C-SiC Film-derived Nanowires Using MEMS-based Tensile Test Technique
-
- Tanaka Kosuke
- University of Hyogo
-
- Dao Viet Dzung
- Griffith University
-
- Namazu Takahiro
- University of Hyogo
-
- Inoue Shozo
- University of Hyogo
Bibliographic Information
- Other Title
-
- MEMS引張試験技術による3C-SiC薄膜由来ナノワイヤの機械特性評価
Abstract
Siの代替素材として注目されているワイドギャップ半導体のMEMS・NEMS適応サイズでの機械物性は未知なところが多い.本研究では,独自開発したMEMS引張試験技術を用い,3C-SiC薄膜からFIBサンプリングしたSiCナノワイヤに対して引張試験を行った.結果,ヤング率および破壊強度はそれぞれ288.5GPa,10GPaであった.ヤング率はSiC公称値より36%程度低かった.ナノインデンテーション試験結果と併せてFIBのダメージ層の影響を議論する.
Journal
-
- Proceedings of JSPE Semestrial Meeting
-
Proceedings of JSPE Semestrial Meeting 2016S (0), 723-724, 2016
The Japan Society for Precision Engineering
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1390282680632595328
-
- NII Article ID
- 130005264053
-
- Text Lang
- ja
-
- Data Source
-
- JaLC
- CiNii Articles
-
- Abstract License Flag
- Disallowed