Si-CMPにおける研磨装置の挙動解析と研磨特性との関係

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タイトル別名
  • Relationship between Polishing Apparatus Phenomena and Polishing Characteristics in Si-Chemical Mechanical Polishing
  • 機械的作用と化学的作用のインターラクション考察
  • Effect of Polishing Characteristics by Mechanical and Chemical Actions

抄録

シリコン(Si)のCMPに及ぼす影響因子として研磨装置の挙動や消耗副資材の特性に着目し,それらのパラメータが研磨特性に与える影響について明らかにすることを目的とする.本報ではSi-CMPの研磨機構に及ぼす研磨装置挙動や消耗副資材特性の解明を目的に,機械的作用と化学的作用の影響度を評価するため,通常のコロイダルシリカスラリーに加えて,砥粒レススラリーによる検討を行うことを通じて多面的に考察した結果を示す.

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680633983232
  • NII論文ID
    130005479330
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2014a.0_31
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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