OHラジカルを活性種として用いたGaN化学機械研磨プロセスの量子分子動力学シミュレーション
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- Kawaguchi Kentaro
- Tohoku University
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- Aizawa Takehiro
- Tohoku University
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- Higuchi Yuji
- Tohoku University
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- Ozawa Nobuki
- Tohoku University
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- Kubo Momoji
- Tohoku University
Abstract
GaN基板に対する高効率・高精度な研磨プロセス設計を目的に、活性種としてOHラジカルを用いたGaN基板研磨プロセスについて、量子分子動力学法に基づくシミュレーションによる解析を行った。溶液中のOHラジカルがGaN基板と反応することで生成する吸着O原子が、摩擦面において、基板内に押し込まれる酸化反応を明らかにした。この酸化反応に伴い、基板のGa-N結合が解離し、基板原子がN2分子、Ga(OH)3分子として脱離するプロセスを解明した。
Journal
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- Proceedings of JSPE Semestrial Meeting
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Proceedings of JSPE Semestrial Meeting 2014A (0), 441-442, 2014
The Japan Society for Precision Engineering
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680636115072
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- NII Article ID
- 130005479411
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed