光電気化学酸化を援用した触媒表面基準エッチング法による窒化ガリウムの高能率平坦化

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抄録

我々は，窒化ガリウム (GaN) 基板を平坦化する革新的な手法として触媒表面基準エッチング (Catalyst-Referred Etching; CARE) 法の開発，研究を行っている．現在までに研磨定盤にPt触媒，加工液に純水を用いて，原子レベルに平坦な表面が作製可能となっているが，ステップフロー型であるのでCARE法は加工速度が不十分である．そこで本研究では，GaN基板の高能率平坦化を目指し，光電気化学酸化を援用したCARE法（PEC-CARE加工）を検討することで，加工速度は800 nm/hにまで向上した．

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  • CRID
    1390282680636792448
  • NII論文ID
    130006434251
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2017a.0_19
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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