Phosphorus doping of Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>Te epilayers by metalorganic vapor phase epitaxy

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  • 有機金属気相成長法によるZn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>Teへのドーピング

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Zn1-xMgxTe三元混晶半導体は、ZnTe系純緑色発光デバイスの高効率高輝度化に必要となるクラッド層や発光波長に対する透明基板の材料として、更には可視領域で緑～青色の波長選択性を持つ発光層材料の候補として期待される。我々はこれまでに工業的に有利な有機金属気相成長法(MOVPE)法を用い、アンドープZn1-xMgxTeエピ膜の成長特性及び光学的特性を明らかにした。今後、発光デバイス等へ応用していく上で、ドーピングによる光学的及び電気的特性制御が不可欠である。本研究では、トリスジメチルアミノ燐をドーパントに用い、MOVPE法によるZn1-xMgxTeへの燐ドーピングを試みた。

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  • CRID
    1390282680638444032
  • NII Article ID
    130005033118
  • DOI
    10.11527/jceeek.2008.0.394.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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