Growth of ZnTe single crystal on C-plane sapphire ubstrates by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy for THz device applications
Bibliographic Information
- Other Title
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- THzデバイス応用のためのMOVPE法による(0001)α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上へのZnTe単結晶の成長
Abstract
未開拓電磁波ともいわれるTHz波は,通信から医療まで幅広い分野での応用性があり注目されている.本研究では,高性能なTHzデバイスの作製を目的とする研究の一環として,電気光学結晶材料であるZnTeに注目し,大面積単結晶薄膜成長が可能な有機金属気相成長法(MOVPE)によるc面サファイア基板上への高品質ZnTe単結晶薄膜の成長を試み,従来の基板温度依存性に加え,圧力及び原料供給量が成長薄膜に与える影響を調べる.得られた試料は,X線回折測定,レーザーラマン分光測定及び原子間力顕微鏡観察により評価した.
Journal
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- Record of Joint Conference of Electrical and Electronics Engineers in Kyushu
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Record of Joint Conference of Electrical and Electronics Engineers in Kyushu 2016 (0), 41-41, 2016
Committee of Joint Conference of Electrical, Electronics and Information Engineers in Kyushu
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680641163136
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- NII Article ID
- 130006356867
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed