PドープZnOマイクロスフィアの作製と特性評価

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タイトル別名
  • Synthesis and Characterization of P-doped ZnO Micro-Sphere

抄録

酸化亜鉛(ZnO)は、室温で約3.37 eVのバンドギャップエネルギーを持つワイドギャップ半導体であり、大きい励起子束縛エネルギー(60 meV)を持つため、高効率な励起子発光が期待できる。本研究ではレーザアブレーション法を用いてp型不純物である燐(P)をドープしたPドープZnOマイクロスフィアの作製を試み、真球に近い微小球の作製に成功した。PドープZnOマイクロスフィアはZnOの結晶構造を有し、ラマンスペクトルにおいてPドープを示唆する結果が得られた。さらに、光励起による紫外Whispering Gallery Mode(WGM)レーザ発振が得られたので、その結果について報告する。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680641646848
  • NII論文ID
    130006356329
  • DOI
    10.11527/jceeek.2015.0_287
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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