PドープZnOマイクロスフィアの作製と特性評価
書誌事項
- タイトル別名
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- Synthesis and Characterization of P-doped ZnO Micro-Sphere
抄録
酸化亜鉛(ZnO)は、室温で約3.37 eVのバンドギャップエネルギーを持つワイドギャップ半導体であり、大きい励起子束縛エネルギー(60 meV)を持つため、高効率な励起子発光が期待できる。本研究ではレーザアブレーション法を用いてp型不純物である燐(P)をドープしたPドープZnOマイクロスフィアの作製を試み、真球に近い微小球の作製に成功した。PドープZnOマイクロスフィアはZnOの結晶構造を有し、ラマンスペクトルにおいてPドープを示唆する結果が得られた。さらに、光励起による紫外Whispering Gallery Mode(WGM)レーザ発振が得られたので、その結果について報告する。
収録刊行物
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- 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集
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電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2015 (0), 287-287, 2015
電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680641646848
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- NII論文ID
- 130006356329
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可