MOVPE法によるm-planeサファイア基板上へのZnTeヘテロエピタキシャル成長の基板温度依存性

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タイトル別名
  • Substrate Temperature Dependence of Heteroepitaxial ZnTe Growth on m-plane Al2O3 Substrates by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Methods

抄録

ZnTeは検出効率の高いX線検出素子やテラヘルツデバイスとして期待される材料である。また，サファイアは良好な光透過性があり，サファイア基板上へのZnTeヘテロエピタキシャル成長技術が確立することでテラヘルツ電磁波放射，検出デバイス化において放射波長帯域の広帯域化，検出領域の大面積化を可能にし，様々な産業へ応用できる。本研究では，有機金属気相成長法(MOVPE :Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)を用いてm-paneにZnTe薄膜を成長し，評価することにより，ZnTe薄膜成長の基板温度依存性を調べた。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680642337536
  • NII論文ID
    130005488022
  • DOI
    10.11527/jceeek.2014.0_47
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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