電界イオン顕微鏡における電界吸着原子上の電場強度の定量的評価II
抄録
電界イオン顕微鏡(FIM)像の結像機構の詳細を明らかにするため、μプローブホールFIMを用いて単一試料表面原子位置から放射される電界イオンを直接的に計数計測し、試料探針への印加電圧依存性を調べた。異なる最良結像電場強度を持つHeとNeをイメージングガスであるだけでなく、イオン化時の電場強度を示す指標として利用し、個々の表面原子上の空間に形成されるイオン化領域の大きさと電場強度の定量的評価を行った。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 34 (0), 37-, 2014
公益社団法人 日本表面真空学会
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キーワード
詳細情報
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- CRID
- 1390282680654419968
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- NII論文ID
- 130005481108
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可