ルブレン単結晶上におけるC60被覆層エピタキシャル成長
書誌事項
- タイトル別名
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- Hetero-epitaxial Crystallization of C60 on Rubrene Single Crystal
抄録
有機エレクトロニクスの研究・開発においてpnヘテロ接合界面の構造制御は重要な課題である。これまでに我々は代表的なp型有機半導体材料であるペンタセン単結晶上でn型半導体材料であるC60被覆層がエピタキシャルに成長することを報告した。本研究ではペンタセン同様に正孔移動度が高いp型有機半導体材料であるルブレン単結晶を基板として用い，C60とのヘテロ接合界面の整合関係を射入射X線回折法を用いて解析した。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 266-, 2016
公益社団法人 日本表面真空学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680654559232
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- NII論文ID
- 130005175721
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可