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Surface reaction processes of t-C4H9GeH3 on GaAs and Si substrates
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- Kawano Masahiro
- Faculty of Engineering,University of Miyazaki.
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- Yamauchi Toshihiro
- Faculty of Engineering,University of Miyazaki.
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- Ishikawa Masato
- Gas-Phase Growth Limited.
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- Sudo Hiroshi
- Gas-Phase Growth Limited.
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- Machida Hideaki
- Gas-Phase Growth Limited.
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- Oshita Yoshio
- Toyota Technological Institute.
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- Suzuki Hidetoshi
- Faculty of Engineering,University of Miyazaki.
Bibliographic Information
- Other Title
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- 新規Ge原料 t-C4H9GeH3のSiもしくはGaAs基板上における表面反応過程
Description
GaAs/Si構造は、多接合型太陽電池等への応用が期待されている。本構造の格子定数差等に起因する欠陥の低減手法として、Geバッファ層が提案されている。近年、安全で取扱いが容易な新しいGe原料としてt-C4H9GeH3（tBGe）が提案されているが、各種基板上での反応過程など不明な点が多い。本研究では、Si又はGaAs基板上におけるtBGeの表面反応と成長初期過程を明らかにすることを目的とした。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 36 (0), 264-, 2016
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680654573696
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- NII Article ID
- 130005175729
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed