In-Adsorbed Ge(110) Phase Diagram and Band Dispersion

DOI
  • Ebato Tatsuya
    Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Japan
  • Takeda Sakura
    Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Japan
  • Sakata Tomohiro
    Department of Applied Physics and ChemistryThe University of Electro-Communications
  • Ang Artoni K. R.
    Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Japan
  • Yoneda Masatoshi
    Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Japan
  • Daimon Hiroshi
    Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Japan

Bibliographic Information

Other Title
  • In吸着Ge(110)表面の相図とバンド分散構造

Abstract

電子デバイス応用材料として脚光をあびるGeであるが、最も高いキャリア移動度をもつ(110)面については研究例が少なく、金属吸着表面の相図や電子状態など不明な点が多い。本研究では、RHEEDの連続撮影を用い、Inを蒸着した時のスポット強度変化を解析し、詳細な相図を作製した。またARPESを用いて各表面構造に対するバンド構造を測定した。その結果、HH、LHおよびSOのGe(110)バルク由来のバンドを測定でき、In表面由来のバンドを新たに見出した。

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680654698240
  • NII Article ID
    130005175533
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_163
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

Report a problem

Back to top