反射高速電子回折によるα-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>(0001)面の√31×√31±R9°構造の解析
書誌事項
- タイトル別名
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- Structure analysis of α – Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>(0001) √ 31 x √ 31 ± R9 ° surface by Reflection High Energy Electron Diffraction
抄録
GaNの成長用基板として用いられているα-Al2O3は最表面からAl、O、Al、Al、O、Al…と積層するコランダム構造を持つ。(0001)表面は真空中で高温加熱すると、1×1構造から√31×√31±R9°構造(√31構造)に構造相転移する。√31構造は、表面の2層のO層が抜け、最表面にAl(111)の2重層が形成されるモデルが提案されているが、原子位置等は実験的に明らかになっていない。我々は、α‐Al2O3(0001)面の√31構造を反射高速電子回折(RHEED)のロッキングカーブ法を用いて解析した。<br><br><br><br>
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 37 (0), 127-, 2017
公益社団法人 日本表面真空学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680654847872
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- NII論文ID
- 130005974631
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可