Niナノワイヤを用いた抵抗変化型メモリの形成と評価
書誌事項
- タイトル別名
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- Fabrication and evaluation of resistive switching device using Ni nanowire
説明
近年、抵抗変化型メモリ（ReRAM:Resistive Random Access memory）が次世代の不揮発性メモリとして注目を集めている。ReRAMは金属酸化物などの絶縁膜を金属電極で挟みこんだ単純な構造をしており、微細化に適した性質をもつ。本研究ではNiナノワイヤを用いたReRAMの形成を試み、またそのメモリー素子としての基本動作の確認を行った。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 33 (0), 166-, 2013
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680654875904
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- NII論文ID
- 130005472919
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可