サファイア基板上VO₂薄膜成長における巨大ドメイン結晶成長に関する研究

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Study on the growth of large crystalline domains in VO₂ films grown on sapphire substrates

説明

スパッタ法において基板バイアス印加法を用いて、Al２O３(001)基板上に堆積したVO２薄膜ではVO２(020)配向成長が得られた。基板バイアス電力を0 Wから増加させたときある特定のバイアス電力においてVO２/Al２O３(001)上の典型的な値である数～十nm程度に比べて大きい数 μm以上の巨大な単結晶ドメインが成長した。この巨大ドメインの成長条件を明らかにして、その特性評価の結果を示す。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680655010816
  • NII論文ID
    130005175518
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_130
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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