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Progress and Prospects of SiC Power Devices for Energy Efficiency
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- Kimoto Tsunenobu
- Kyoto University
Bibliographic Information
- Other Title
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- 省エネルギー・パワー半導体SiCの進展と今後の展望
Description
SiCは、Siの限界を打破する高耐圧・低損失パワーデバイス用半導体として有望である。近年の結晶成長およびデバイス技術の進展により、1kV級のショットキーダイオードとパワーMOSFETの実用化が開始され、様々な機器で顕著な省エネ効果を発揮している。また、200mm径の高品質SiCウェハや耐圧20kV以上のデバイスも実証されている。本講演ではSiCパワー半導体の進展と今後の展望を概説する。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 37 (0), 150-, 2017
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680655028992
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- NII Article ID
- 130005974628
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed