裏面電子線照射によるアモルファスカーボンナノ薄膜表面からの脱離測定及び 透過二次電子エネルギー分布測定

  • 廣田 政人
    奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
  • 豊嶋 孝文
    奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
  • 広田 望
    奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
  • 加藤 直也
    奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
  • 服部 賢
    奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
  • 大門 寛
    奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

書誌事項

タイトル別名
  • Desorption from amorphous nano-thin film surfaces induced by electron injection at back surfaces and transmission-secondary-electron energy-distribution

説明

我々は、アモルファスカーボンナノ薄膜の裏面への電子線照射により薄膜表面から電子励起脱離が生じることを確認している。この結果、脱離収量と電子線強度の関係が線形であり、脱離収量と電子線エネルギーの関係に3つの領域の存在が観測された。これは、入射電子が薄膜中を弾道する際に発生する二次電子が脱離に寄与しているものと考えられる。現在、小型の透過電子エネルギー分析器を製作し、その性能評価や分布測定を行なっており、その現状を報告する。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680655081344
  • NII論文ID
    130005472937
  • DOI
    10.14886/sssj2008.33.0_125
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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