Increase of luminescent intensity from GaN(0001) induced by surface cleaning treatments
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- Hattori Azusa
- 阪大・産研
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- Endo Katsuyoshi
- 阪大・工
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- Hattori Ken
- 奈良先端大・物質創成
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- Moriwaki Yuta
- 奈良先端大・物質創成
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- Yamamoto Aishi
- 奈良先端大・物質創成 広工大・工
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- Arima Kenta
- 阪大・工
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- Sano Yasuhisa
- 阪大・工
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- Yamauchi Kazuto
- 阪大・工
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- Daimon Hiroshi
- 奈良先端大・物質創成
Bibliographic Information
- Other Title
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- 表面清浄化処理によるGaN(0001)からの発光強度の増大
Abstract
従来、半導体表面の状態がその発光特性に影響を与えることが示唆されているが、超高真空下で制御された秩序(清浄)表面をもつ試料での発光特性評価の研究例は極めて少ない。我々は、代表的なワイドギャップ半導体GaN(0001)単結晶自立基板を用意し、2種類の表面清浄化処理により異なる制御表面を作製し、清浄化前後における発光強度の超高真空下その場評価を80 Kで行った。表面処理により、最大120倍にバンド端の発光強度が増大した。表面での無輻射遷移、バルク中の水素状態に起因する発光増大のメカニズム、半導体の表面が発光に及ぼす影響を議論する。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 32 (0), 72-, 2012
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680655509248
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- NII Article ID
- 130005456670
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed