Physics in Interfaces of Widegap Semiconductor MOSFET

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  • ワイドギャップ半導体MOS界面の物理

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SiCやダイヤモンドをはじめとするワイドギャップ半導体から構成されるMOSFETは次世代パワーデバイスとして大きな期待が寄せられている。SiC-MOSFETの場合、熱酸化が進行するとC-Cボンドが界面に形成され、これが界面準位の起源となる。従って高性能のSiC-MOSFETを実現するには熱酸化プロセスをできるだけ避ける必要がある。講演では、ダイヤモンドから構成されるデバイスについても議論する。

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  • CRID
    1390282680655774080
  • NII Article ID
    130005489508
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_56
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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