Physics in Interfaces of Widegap Semiconductor MOSFET
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- Shiraishi Kenji
- Graduate School of Engineering, Nagoya University
Bibliographic Information
- Other Title
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- ワイドギャップ半導体MOS界面の物理
Abstract
SiCやダイヤモンドをはじめとするワイドギャップ半導体から構成されるMOSFETは次世代パワーデバイスとして大きな期待が寄せられている。SiC-MOSFETの場合、熱酸化が進行するとC-Cボンドが界面に形成され、これが界面準位の起源となる。従って高性能のSiC-MOSFETを実現するには熱酸化プロセスをできるだけ避ける必要がある。講演では、ダイヤモンドから構成されるデバイスについても議論する。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 35 (0), 56-, 2015
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680655774080
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- NII Article ID
- 130005489508
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed