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- タイトル別名
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- Derivation of transport equations for the analysis of variable composition semiconductor devices at low-temperatures
- テイオン ニ オケル フキンイツ ハンドウタイ デバイス カイセキ ノ タメ
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抄録
Transport equations for use in analysis of not only homogenous but also variable composition semiconductor devices at low-temperatures are systematically derived. In these equations, Fermi-Dirac statistics and position-dependent band structure are taken into account. The general transport equations in materials with nonuniform band structure of previous workers are recast into a simple form so as to be convenient for use in numerical device simulation of those semiconductors at low-temperatures.
収録刊行物
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- 日本応用数理学会論文誌
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日本応用数理学会論文誌 7 (1), 27-36, 1997
一般社団法人 日本応用数理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680744719104
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- NII論文ID
- 110001883639
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- NII書誌ID
- AN10367166
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- ISSN
- 09172246
- 24240982
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- NDL書誌ID
- 4159690
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可