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- Matsuoka Ryo
- Okayama University
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- Tsuruta Kenji
- Okayama University
Bibliographic Information
- Other Title
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- 2421 4H-SiC表面の水分解反応 : 第一原理解析
Abstract
次世代クリーンエネルギー源である「水素」を生成する方法として、パワー半導体である4H-SiC表面における水分解反応の素過程を解析した。始めに局所状態密度解析により表面における準位の存在と、そのエネルギーギャップが水分解に必要な伝導帯端の低下を再現することを確認した。次に、表面にH20分子を1つ置いて構造緩和を行った所、H,0分子がHとOHに分離し、各々表面原子と結合した。さらに、水分子を3つに増やして構造緩和を行った場合、S1原子終端表面側でH2分子が生成された。
Journal
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- The Proceedings of The Computational Mechanics Conference
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The Proceedings of The Computational Mechanics Conference 2013.26 (0), _2421-1_-_2421-2_, 2013
The Japan Society of Mechanical Engineers
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680835195648
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- NII Article ID
- 110009936391
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- ISSN
- 24242799
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- Crossref
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed