無欠陥結晶成長技術 : シリコン(<特集>21世紀を担うバルク単結晶)

DOI Web Site 参考文献17件
  • 降屋 久
    三菱マテリアルシリコン株式会社生産本都結晶生産技術部
  • 原田 和浩
    三菱マテリアルシリコン株式会社生産本都結晶生産技術部
  • 池澤 一浩
    三菱マテリアルシリコン株式会社生産本都結晶生産技術部
  • 朴 在勤
    漢陽大學先端半導体素材,素子開発研究所産業大學院

書誌事項

タイトル別名
  • Growth Technology of CZ Silicon Single Crystals without Grown-in Defects : Silicon(<Special Issue>Bulk Crystals for Human Activity in the New Millennium)
  • 無欠陥結晶成長技術
  • ムケッカン ケッショウ セイチョウ ギジュツ

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抄録

We have developed the growth technology of grown-in defects free CZ silicon single crystals "Pure Silicon" and have produced them at the mass-production level since December, 1998. Pure Silicon is able to be grown by controlling axial and radial v/G in crystals where v is pulling rate, and G is the temperature gradient at the solid/liquid interface. Pure Silicon can improve dramatically performances and yield of devices because of free of grown-in defects such as COP, void defects, and nuclei of OISF which cause degradation of GOI, junction leakage, and isolation leakage. Pure Silicon is one of the most possible candidates for the future advanced devices even in the production of 12 inch wafers.

収録刊行物

参考文献 (17)*注記

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