書誌事項
- タイトル別名
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- OS0408 Evaluation of Si/GaAs Interfacial Energy by Molecular Dynamics Method
抄録
Si,GaAs単相,及びSiとGaAsを1格子ずつ接合したSi/GaAsモデルを作成し,全方向周期境界条件の下,セルを等方的に拡大収縮させたときの系のエネルギー変化を第一原理計算ならびに原子間ポテンシャルにより評価した.Si,GaAsのTersoff型ポテンシャルの組み合わせにおいて,エネルギー極小点ならびにその近傍でのエネルギー勾配が第一原理計算の結果とほぼ一致するようなポテンシャルパラメータの組み合わせを見出した.
収録刊行物
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- M&M材料力学カンファレンス
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M&M材料力学カンファレンス 2008 (0), _OS0408-1_-_OS0408-2_, 2008
一般社団法人 日本機械学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680847857152
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- NII論文ID
- 110008697320
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- ISSN
- 24242845
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可