書誌事項
- タイトル別名
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- Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(<Special Topic>Growth of Graphen and its Applications)
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討
- SiC ジョウ エピタキシャルグラフェン セイチョウ ノ リロン ケントウ
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説明
SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェン成長を,テラス上のC凝集過程と捉えて,そのエナージェティクスを第一原理計算によって追跡した.吸着C原子はsp^2結合を作りやすく,表面Siの未結合手の終端に優先して,C-C結合を形成する.Si終端表面であることは,薄くて平滑なグラフェンシートのエピタキシャル成長にとって重要で,表面Siはあたかも触媒のように作用する.また,新しいグラフェンシートは,常に元からあるグラフェンシートの下の基板Si終端面の上に成長していく界面成長であり,最表面に新しい層ができる通常のエピタキシャル成長とは異なる.さらにSiの脱離サイトは余剰C原子を捕らえ,グラフェン島を形成していくものと考えられる.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 37 (3), 190-195, 2010
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680872867712
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- NII論文ID
- 110007817399
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 10881982
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可