ヘテロエピタキシャル成長におけるミスフィット転位と島状構造(<特集>どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
書誌事項
- タイトル別名
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- Growth Modes with Misfit Dislocations in Heteroepitaxy(<Special Topic>How Do We Model Crystal Growth Phenomena?)
- ヘテロエピタキシャル成長におけるミスフィット転位と島状構造
- ヘテロエピタキシャル セイチョウ ニ オケル ミスフィット テンイ ト シマジョウ コウゾウ
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説明
転位を持つヘテロエピタキシャル成長の表面形態について2次元弾性格子模型を用いたこれまでの研究を紹介する.転位が作る結晶中の非一様な歪み場により,吸着原子は特定のサイトに集められる.その結果,平坦な表面上での次の層の核生成サイトが,転位直上もしくは転位間の中間位置の2つの場合に分かれる.また,いくつかの吸着量でエネルギー最低となる平衡形状を決めることで,吸着物結晶の成長様式を推測した.表面を完全に濡らす通常の半導体結晶の組み合わせを想定すると,格子不整合が大きくなるにつれ,Frank-van der Merwe (FM)成長,Stranski-Krastanov (SK)成長,転位を含むSK成長,転位を含むFM成長と変化する.また,SK成長と転位を含むFM成長間の領域で一時的に島状構造が現れうることがわかった.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 38 (2), 121-127, 2011
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680873039104
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- NII論文ID
- 110008686949
- 120005475983
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- HANDLE
- 2237/20582
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- NDL書誌ID
- 11196060
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- IRDB
- NDLサーチ
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可