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- 松波 弘之
- 科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都
書誌事項
- タイトル別名
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- Step-Controlled Epitaxy of SiC for Device Application(<Special Issue 1>Consolidation of The Japanese Association for Crystal Growth and The Association of Synthetic Crystal Science and Technology)
- 招待論文 SiCステップ制御エピタキシーとデバイス応用
- ショウタイ ロンブン SiC ステップ セイギョ エピタキシー ト デバイス オウヨウ
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説明
現用半導体デバイスの物性的性能限界を凌駕するワイドギャップ半導体SiCデバイス実現のために,高品質エピタキシャル成長が試みられてきた.本報では,SiC結晶成長の歴史を概観し,SiC技術のブレークスルーにつながる高品質単結晶成長法としての「ステップ制御エピタキシー」開発に至った経緯を述べてある.本方法によってポリタイプ制御ができる概念を説明し,成長機構や物性制御について詳述して,デバイスへの応用に触れてある.さらに,SiC物性面から予測される高性能デバイス実現のために,異方位面上へのエピタキシャル成長の重要性を論じ,表面モフォロジー,高純度結晶成長法,不純物添加による物性制御の結果を示してある.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 33 (1), 12-16, 2006
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680874053888
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- NII論文ID
- 110004735427
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 7913189
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可