書誌事項
- タイトル別名
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- Growth Mechanism of Facet Si Dendrites from the Undercooled Melt(<Special Issue>Single and Multi Crystalline Silicon)
- 過冷融液からのファセットSiデンドライトの成長機構--球状単結晶育成へ向けて
- カレイユウエキ カラ ノ ファセット Si デンドライト ノ セイチョウ キコウ キュウジョウタンケッショウ イクセイ エ ムケテ
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抄録
Si単結晶インゴットの大口径化から脱却し,表面積優位の観点から直径1mm程度の球状Si単結晶の作成が近年注目を浴びている.球状単結晶はドロップチューブ法のような無容器凝固プロセスにより作成が試みられているが,容器壁という主要な不均一核生成サイトがないため,融液が大きく過冷し,成長界面は不安定化し常にデンドライト成長する.すなわち,球状単結晶化に向けて,過冷却融液からの凝固過程を詳細に調べる必要がある.Siは過冷度の増加に伴い,ファセットデンドライトの成長方向・成長形態を変化させる.本稿では,様々な形状のファセットデンドライトを分類し,その特徴を明確にし,チョクラルスキー法等の単結晶育成では抑制されるデンドライトを積極的に制御することにより単結晶化が可能であることを紹介する.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 32 (4), 314-324, 2005
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680874098176
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- NII論文ID
- 110007327696
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 7681687
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可