CVD単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子,転位,不純物ドーピングの機構(<特集>ダイヤモンド成長)

DOI Web Site 参考文献18件
  • 嘉数 誠
    佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所:佐賀大学大学院工学系研究科

書誌事項

タイトル別名
  • Abnormal Growth, Dislocations, Impurity Doping of CVD Single-crystal Diamond(<Special Issue>Diamond Growth)
  • CVD単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子,転位,不純物ドーピングの機構
  • CVDタンケッショウ ダイヤモンド ノ イジョウ セイチョウ リュウシ,テンイ,フジュンブツ ドーピング ノ キコウ

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抄録

化学気相堆積法(CVD)成長ダイヤモンド単結晶には,天然や高温高圧合成ダイヤモンドにない特徴的な異常成長粒子,結晶欠陥や不純物混入などの現象があり,電子デバイス応用の致命的な問題となっている.そこで,本研究では,これらを水素・酸素プラズマ処理によって生成するエッチピットや微傾斜角度研摩面のカソードルミネッセンス(CL)観察という手法で機構を調べた.CVDダイヤモンドの異常成長粒子を非エピタキシャル結晶(UC),ピラミッド状成長丘(PH)とフラットトップ状成長丘(FH)に分類し,ピラミッド状成長丘とフラットップ状成長丘は共に貫通転位と関連をもつことを明らかにした.また意図せずCVDダイヤモンド単結晶中にドーピングされるホウ素(B)不純物は,CVD成長中に基板結晶から気相を経てドーピングされることを明らかにした.

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参考文献 (18)*注記

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