書誌事項
- タイトル別名
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- Thermophysical Properties Required for Numerical Simulation of Single Crystalline Silicon Growth Processes(<Special Issue>Advanced Devices and, Science and Technology)
- 総合報告 シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値
- ソウゴウ ホウコク シリコンタンケッショウ セイチョウ プロセス ノ スウチ シミュレーション ニ ヨウキュウ サレル ネツ ブッセイチ
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抄録
Thermophysical properties required for numerical simulation of silicon crystal growth processes have been investigated from Japanese silicon wafer producers. Results from the survey are presented for molten silicon, crystalline silicon and refractory materials. Thermal transport properties such as thermal conductivity of both melt and crystal are greatly important. Mechanical properties such as elastic constant of the crystal are required especially at high temperatures. Thermal transport properties of refractory materials are also essential for the global analysis of heat transfer in the furnace. However, refractory data have been kept confidential.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 30 (5), 364-369, 2004
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680874333312
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- NII論文ID
- 110008593111
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 6826235
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可