無欠陥単結晶ダイヤモンドの高圧合成(<特集>ダイヤモンド成長)

DOI Web Site 参考文献15件
  • 角谷 均
    住友電気工業株式会社アドバンストマテリアル研究所

書誌事項

タイトル別名
  • High Pressure Synthesis of Defect-free Single Crystal Diamond(<Special Issue>Diamond Growth)
  • 無欠陥単結晶ダイヤモンドの高圧合成
  • ムケッカンタンケッショウ ダイヤモンド ノ コウアツ ゴウセイ

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抄録

高圧高温下(HPHT)での温度差法において,高純度な炭素源とFe-Co-Ti溶媒,高結晶性の(001)種結晶を用い,HPHT条件を高精度に制御して,最大径12mmの高品質IIa型単結晶ダイヤモンドを合成した.このダイヤモンドは,天然あるいは従来の合成のダイヤモンドに比べて欠陥密度がはるかに少なく,非常に高い結晶性を有する.特に,(001)種結晶に成長させた結晶の種結晶上部の(001)成長セクター内には転位欠陥や積層欠陥はほとんど見られないことがX線トポグラフ測定より明らかとなった.そこで,合成領域内の低温側で合成温度を厳格に制御して,この(001)成長セクターが優勢な結晶形をもつダイヤモンドを合成したところ,5×5mm^2以上の無欠陥部を含む結晶が得られた.

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参考文献 (15)*注記

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