書誌事項
- タイトル別名
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- ZnO Bulk Single Crystal Growth by Solvothermal Method and its Application to GaN Crystal Growth(<Special Issue>Bulk Crystals for Substrates)
- ソルボサーマル法によるZnOバルク結晶作製とそのGaN結晶への適用
- ソルボサーマルホウ ニ ヨル ZnO バルク ケッショウ サクセイ ト ソノ GaN ケッショウ エ ノ テキヨウ
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抄録
近年,超臨界流体を溶媒とする"ソルボサーマル法"が,ZnOおよびGaNといったワイドバンドギャップ半導体のバルク単結晶作製に適用できることが改めて示されたことにより,特に注目を浴びることとなった.本稿では,ソルボサーマル法の中から,特にハイドロサーマル法によるZnOバルク結晶作製の例と,その概念をGaNバルク結晶作製へ展開しようという試み(アモノサーマル法)に関して紹介する.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 32 (1), 15-19, 2005
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680874993280
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- NII論文ID
- 110007327666
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 7311844
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可