Detection of photo current arising from atomic-layer MoS2 Schottky junction fabricated by electron beam irradiation
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- Katagiri Yuto
- Aoyama Gakuin Univ.
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- Yabe Tomoki
- Aoyama Gakuin Univ.
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- Ohata Chika
- Aoyama Gakuin Univ.
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- Inoue Taiki
- Mechanical Eng., The Univ. Tokyo
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- Maruyama Shigeo
- Mechanical Eng., The Univ. Tokyo
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- Nakamura Taketomo
- ISSP, The Univ. Tokyo
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- Katsumoto Shingo
- ISSP, The Univ. Tokyo
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- Ishi Ayumi
- Chemistry and Bio., Aoyama Gakuin Univ.
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- Hasegawa Miki
- Chemistry and Bio., Aoyama Gakuin Univ.
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- Fiori Gianluca
- Universitàdi Pisa,
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- Roche Stephan
- Barcelona Institute of Science and Technology
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- Haruyama Junji
- Aoyama Gakuin Univ.
Bibliographic Information
- Other Title
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- 電子線照射で形成したMoS2原子層ショットキー接合からの光電流検出
Abstract
<p>我々は少数層MoS2に電子線照射し半導体・金属転移を創製しその界面に原子層の薄さのショットキー接合が形成出来ることをNano Lettersに報告して来た。今回そのショットキー接合に光照射し、光電流を検出したので報告する。この接合への高電界集中と高効率光電流検出を、ゲート電圧・照射光振動数などとの相関から明らかにする。</p>
Journal
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- Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan
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Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 71.2 (0), 1174-1174, 2016
The Physical Society of Japan
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680934549504
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- NII Article ID
- 130006243820
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- ISSN
- 21890803
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed