25aEH-7 FIBを用いたWデポジションSQUID素子の試作(25aEH 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))

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  • 25aEH-7 SQUID device fabricated by using FIB

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  • CRID
    1390282680951710592
  • NII論文ID
    110008715176
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.66.1.4.0_810_3
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

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