25pDD-3 Siナノレイヤー中電子正孔凝縮状態の膜厚依存性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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• CRID

  1390282680968882432

• NII論文ID

  110009755500

• DOI

  10.11316/jpsgaiyo.68.2.4.0_600_3

• ISSN

  21890803

• 本文言語コード

  ja

• データソース種別

  • JaLC
  • CiNii Articles