Electronic states of graphene on the nanofacets on the vicinal 6H-SiC(0001) surfaces II
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- Iimori T.
- ISSP, Univ. of Tokyo
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- Nakatsuji K.
- Dep. of Material Sci. and Eng., Tokyo Institute of Technology
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- Miyamachi T.
- ISSP, Univ. of Tokyo
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- Ienaga K.
- Dep. of Phys., Tokyo Institute of Technology
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- Toyohisa S.
- ISSP, Univ. of Tokyo
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- Fukuma K.
- Faculty of Engineering, Kyushu Univ.
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- Morita K.
- Faculty of Engineering, Kyushu Univ.
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- Hayashi S.
- Faculty of Engineering, Kyushu Univ.
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- Kajiwara T.
- Faculty of Engineering, Kyushu Univ.
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- Visikovsliy A.
- Faculty of Engineering, Kyushu Univ.
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- Tanaka S.
- Faculty of Engineering, Kyushu Univ.
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- Mase K.
- KEK-IMSS
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- Komori F.
- ISSP, Univ. of Tokyo
Bibliographic Information
- Other Title
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- 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子状態について II
Abstract
<p>ナノファセット配列を形成した微傾斜6H-SiC(0001)表面上に、熱分解法を用いてグラフェンを作成した。これまで角度分解光電子分光法を用いて、ナノファセットの１次元的周期構造に由来したグラフェンのレプリカ電子状態を観測したことを報告した。今回、形成過程と構造について情報を得るために、熱分解を途中で止めた試料について光電子分光を行った結果について報告する。</p>
Journal
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- Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan
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Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 72.1 (0), 2628-2628, 2017
The Physical Society of Japan
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282681023659648
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- NII Article ID
- 130006710507
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- ISSN
- 21890803
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed