ThCu<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の単結晶育成とドハース・ファンアルフェン効果

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タイトル別名
  • Single Crystal Growth and de Haas-van Alphen Effect in ThCu<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>

抄録

<p>ThIn3などで知られているようにTh化合物のフェルミ面を解明することは4f遍歴のCe化合物のフェルミ面を解明するうえでも重要である。本研究ではSnフラックス法でThCu_2_Si_2_の単結晶育成に成功した。電気抵抗の温度依存性から!LaTex${\rho}$_0_=0.8 !LaTex${\mu\Omega}$･cm、RRR=28の純良な単結晶であることがわかった。発表では基礎物性およびドハース・ファンアルフェン効果について議論する。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282681024142208
  • NII論文ID
    130006710169
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2361
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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