High field magnetoresistance of the semimetal Bi under pressure in pulsed magnetic fields

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  • パルス磁石を用いた半金属Biにおける高圧強磁場下磁気抵抗測定II

Abstract

<p>Biは半金属であるため、半導体や金属に比べエネルギーギャップ及びフェルミエネルギーが小さい。そのため、磁場効果が顕著に現れ90 T級の強磁場領域で半金属-半導体転移を起こすと予想されている。また、Biは加圧することにより電子状態が半導体に近づくため、転移磁 場が小さくなると考えられている。そこで我々は、パルス強磁場中で使用するピストンシリンダー型の圧力セルを開発しており、今後、パルス 強磁場と2GPa級の圧力下でBiの磁気抵抗を測定する予定である。本公演では、Bi_0.96_Sb_0.04_及びBiの測定結果を報告する。</p>

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  • CRID
    1390282681024523520
  • NII Article ID
    130006710090
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2271
  • ISSN
    21890803
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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