磁性トポロジカル絶縁体薄膜における量子異常ホール状態の局在長

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タイトル別名
  • Localization length analysis of quantum anomalous Hall state in magnetic topological insulator thin films

抄録

<p>強磁性トポロジカル絶縁体Cr_x(Bi, Sb)_{2-x}Te_3薄膜を作製し、希釈冷凍機を用いて電気伝導特性を測定した。200mK以下の低温域において、ホール抵抗値がh/e^2に量子化する量子異常ホール効果を観測した。縦抵抗の残留抵抗値の温度依存性から、低温での伝導特性が可変領域ホッピング伝導によって支配されていることが分かった。さらに、励起電流依存性の実験結果を合わせて局在長を見積もったので、その結果についても報告する。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282681024552576
  • NII論文ID
    130006709037
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_1300
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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