1a-E1-5 ハロゲン架橋錯体における電荷移動励起子吸収帯の圧力依存性(分子性結晶・液晶・有機半導体)

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• CRID

  1390282681175371008

• NII論文ID

  110009786262

• DOI

  10.11316/jpsgaiyod.40.2.0_308_2

• ISSN

  24331139

• 本文言語コード

  ja

• データソース種別

  • JaLC
  • CiNii Articles