1a-E1-5 ハロゲン架橋錯体における電荷移動励起子吸収帯の圧力依存性(分子性結晶・液晶・有機半導体)

Details 詳細情報について

• CRID

  1390282681175371008

• NII Article ID

  110009786262

• DOI

  10.11316/jpsgaiyod.40.2.0_308_2

• ISSN

  24331139

• Text Lang

  ja

• Data Source

  • JaLC
  • CiNii Articles