イオン注入による蒸着炭素膜の改質

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  • Modification of evaporated carbon film by ion implantation.
  • イオン チュウニュウ ニ ヨル ジョウチャク タンソ マク ノ カイシツ

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抄録

A carbon film of 200nm thickness was vacuum-deposited on Si wafer at 573 K. The carbon film was implanted with 280keV Ar+ to doses up to 1×1017/cm2. Implantation temperatures were 90 K to 773 K. Raman and XRD studies showed that the as-deposited carbon was graphite-like amorphous carbon, and implantation above 523 K resulted in growth of graphite microcrystals in the film while implantation below 213 K destroyed graphite-like structure in the film.

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