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- 塚田 捷
- 東京大学理学部物理学教室
書誌事項
- タイトル別名
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- Recent advances in semiconductor surface physics.
説明
STM/STSを始めとする種々の強力な実験法の開発, 局所密度汎関数法に基づく非経験的電子状態計算の進歩などにより, ここ10年間の半導体表面研究は画期的な発展を示している。Siを中心とした半導体表面再構成構造の解明, Si表面上の金属吸着系の諸問題を例として, 半導体表面研究の最近10年の動向を紹介し, 今後の方向を探る。
収録刊行物
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- 表面科学
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表面科学 10 (10), 644-650, 1989
公益社団法人 日本表面科学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282681433306240
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- NII論文ID
- 130003683044
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- ISSN
- 18814743
- 03885321
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可